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acta de conferencia
"Fabricación y caracterización de capacitores MOS para el estudio de daño por radiación"
M.L. Ibarra, M. Barrera y M. Alurralde
Actas del "13º Congreso Internacional en Ciencia y Tecnología de Metalurgia y Materiales" (SAM-CONAMET 2013), Puerto Iguazú, Misiones, Argentina, Agosto 20-23, 2013.
Memorias del 13er SAM-CONAMET CD-ROM, 1º edición, EdUNaM - Editorial Universitaria de la Universidad Nacional de Misiones, Posadas (2013)
ISBN: 978-950-579-276-4
Abstract
Las celdas solares y otros dispositivos semiconductores utilizados en el espacio sufren una degradación permanente debido a la radiación presente en el ambiente. Esta radiación afecta tanto los parámetros eléctricos como electrónicos de los dispositivos, reduciendo el tiempo de vida útil de los mismos en órbita. Con el objetivo de estudiar el efecto de los iones y otras radiaciones sobre el óxido de los dispositivos, se fabricaron capacitores MOS (Metal Óxido Semiconductor) diseñados ad hoc para ser degradados en condiciones controladas. La caracterización electrónica de los dispositivos se realizó mediante la obtención de las curvas C-V (Capacidad-Tensión) y el cálculo de parámetros característicos a partir de ellas. Se realizaron los ensayos de daño por radiación de los dispositivos utilizando el acelerador de iones pesados de tipo tándem Van der Graff (TANDAR).
DEPARTAMENTO ENERGIA SOLAR
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