Resumenes de las Presentaciones Murales
Estudio de defectos en la superficie Si(001)
Edgar A. Bea1 y Mariana Weissmann2
1Instituto de Tecnología "Jorge Sabato",
Universidad Nacional de San Martín - Comisión Nacional de Energía Atómica.
Av. Gral. Paz 1499, (1650) San Martín, Buenos Aires, Argentina.
2Departamento de Física, Lab. TANDAR,
Comisión Nacional de Energía Atómica.
Av. Gral. Paz 1499, (1650) San Martín, Buenos Aires, Argentina.
Abstract
Las superficies e interfaces de materiales semiconductores juegan un papel muy importante en la
tecnología microelectrónica. En particular, la superficie de silicio (001) motiva
por sus aplicaciones un gran interés. La producción de cristales de Si de alta
calidad es un desafío tecnológico que involucra procesos de crecimiento homoepitaxial
en las superficies de Si. Los defectos en la superficie, vacancias y escalones, influyen de manera
crítica en el crecimiento a bajas temperaturas, en consecuencia resulta importante estudiar
como afectan la formación de estructuras epitaxiales. La distribución de la densidad
electrónica sobre la superficie resuelta en energía refleja ciertas
características de la superficie. Los experimentos de microscopía (STM) y
espectroscopía (STS) de transmisión túnel son capaces de resolver
espacialmente y energéticamente los estados electrónicos de la superficie, sensando
localmente la interacción con una punta, dando información directa de la estructura
electrónica local. Las imágenes que se obtienen para la superficie Si(001) reflejan
detalles "no topográficos" de la superficie, haciendo más difícil
la interpretación en términos de su relación con la estructura
geométrica que en los metales. En este trabajo estudiamos las propiedades
electrónicas y estructurales de la superficie Si(001) y empleamos la teoría
clásica de Bardeen para describir el fenómeno de transmisión túnel de
electrones. La relajación y difusión de defectos en la superficie se estudió
mediante simulación por dinámica molecular tight-binding (TBMD). Calculamos la
energía de formación de vacancias y escalones, y mostramos las imágenes
generadas para modelar los resultados experimentales de STM.
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