RESUMEN: El fenómeno de conmutación resistiva consiste en el cambio del valor de resistencia de un material o una interfaz debido a la aplicación de un estímulo eléctrico. Esta operación consiste en la escritura de un bit, el que debe ser leído posteriormente, para dar lugar a un dispositivo con memoria. La tecnología ReRAM (Resistive Random Access Memory) ha emergido con fuerza debido a sus atractivas prestaciones: velocidades de conmutación en la escala de los nanosegundos, muy bajo consumo en operación, no volatilidad, y alta potencialidad de miniaturización. Desde hace unos años, un grupo de investigadores de CNEA - INTI - UBA - UNSAM - CONICET trabajan el área de materiales (óxidos, en particular) con posibles aplicaciones en memorias del tipo ReRAM, siguiendo un enfoque combinado teórico-experimental. En esta charla se describirá el efecto RS, y se ampliará sobre algunos experimentos que se han realizado en los últimos años, se describirá el nivel de entendimiento que tenemos del efecto de conmutación en óxidos de la familia de las manganitas y en TiO₂, y se contará el estado de avance del Proyecto MeMO, Mecanismos de Memoria en Óxidos.