LÍNEAS DE TRABAJO
Magnetismo y electrónica
de nanoestructuras únicas.
Efectos de confinamiento,
superficies e interfaces
Efectos de campo de tensiones,
magnéticos y eléctricos sobre
películas delgadas y multicapas
a base de óxidos
Diseño y fabricación de
dispositivos magnetoresistivos
Esta linea esta dedicada al diseño, fabricación e investigación de nanoestructuras artificiales individuales. El estudio de nanoestructuras tiene interés tanto fundamental como aplicado. Desde el punto de vista básico, la posibilidad de examinar nanoestructuras únicas nos permite identificar efectos de tamaño e influencia de superficies e interfaces sobre las propiedades magnéticas y electrónicas del sistema así como el descubrimiento de nuevos fenómenos asociados a la física de la nanoescala. Desde un punto de vista tecnológico, por el otro lado, resulta imprescindible identificar cambios de propiedades físicas en nanoestructuras ya sea para emplearlas como nuevas funcionalidades en el diseño de dispositivos o para controlarlas.
Desarrollamos estructuras hechas por litografia optica para contactar las nano-cintas y estudiar la magnetoresistencia y efecto Hall en sistemas magneticos confinados a la nano-escala. La meta inicial es determinar el regimen de transporte electrico en estas nanoestructuras, tipo de portadores, etc. para luego trabajar en la dinámica de paredes de dominios inducida por campos magnéticos y eléctricos.
Fabricamos peliculas y multicapas de oxidos de la familia ABMnO3 por ablación láser para la investigacion de efectos de interfaces – acoplamiento magneto-elástico, acoplamiento magnético y tensiones inducidas - sobre el magnetismo y las propiedades electrónicas de estructuras ferromagneto/antiferromagneto y ferromagneto/multiferroico.
Tambien trabajamos el diseño, fabricación y estudio de nanoestructuras litografiadas a partir de films de óxidos multiferroicos para estudiar efectos de confinamiento y tensiones sobre la ferroelectricidad y el magnetismo de estos.
Nos dedicamos al diseño de dispositivos tipo junturas túnel o filtros de espín en base a óxidos. Es un objetivo de esta linea plantear la incorporación de nuevos materiales como componentes del dispositivo para ampliar sus funcionalidades, como ser su respuesta ante campos magnéticos, eléctricos o de tensiones. Para la fabricación de dispositivos se emplean técnicas de litografía óptica y grabado iónico en sala limpia (CAB y CAC). Su caracterización eléctrica asi como su respuesta ante campos magnéticos y eléctricos se realizara a través de experiencias de magneto-transporte del laboratorio o por técnicas de microscopia de sonda local (CAFM).
Laboratorio de Nanoestructuras Magneticas y Dispositivos
Centro Atómico Constituyentes - CNEA
Av.Gral.Paz 1499
(B1650KNA) San Martín - Buenos Aires
Te: (+54-11) 6772-7118
Fax: (+54-11) 6772-7121
Tel Comm. (+54-11) 6772-7000
-Laura B. Steren